恭賀 尊貴 法王【皮米／奈米級線路圖案的製備方法】美國發明專利核准通過!

尊貴 法王新發明【皮米／奈米級線路圖的製備方法】美國發明專利核准（美國發明專利申請案號: US17/171,854）。本專利是一種先進線路圖案製程，突破現有半導體晶片製程，讓晶片的線寬可以從幾奈米到1奈米，甚至於小到0.1奈米也就是皮米級的晶片製程。0.1奈米的線寬大約就是1個原子的徑寬，相當於將電子線路刻畫在一顆原子的大小，這無疑是一項巨大的創新發明！

目前台積電和三星半導體仍在爭奪3奈米晶片的製造，而3奈米是指它的DS通路，它們的線寬仍在40奈米左右，但本製程專利可以讓線寬縮減至幾奈米到0.1奈米之間。現今最厲害的極紫外光（EUV）微影技術，極紫外光的波長就在13.5奈米，故也無法直接製作出皮米級線路。

透過本專利技術，無需使用昂貴的光刻機及蝕刻機就能做到奈米／皮米線路等級的晶片，具有簡單且兼顧成本效益，有利於大量生產，更具有商業實施潛力，將為半導體產業開創新局。

本發明目前已布局多國專利申請，包括台灣、大陸、美國、日本、韓國與歐洲，其中韓國、EPC歐洲區域案、台灣及美國已率先核准，其他國家也將陸續核准中。