首頁活動快訊恭賀尊貴 班札法王【皮米/奈米級線路圖案的製備方法】韓國專利核准通過!

恭賀尊貴 班札法王【皮米/奈米級線路圖案的製備方法】韓國專利核准通過!

尊貴班札法王的新發明【皮米/奈米級線路圖案的製備方法】韓國專利核准(韓國專利申請號:KR10-2444530)。本專利是一種先進線路圖案製程,突破現有半導體晶片製程,讓晶片的線寬可以從幾奈米到1奈米,甚至於小到0.1奈米也就是皮米級的晶片製程。0.1奈米的線寬大約就是1個原子的徑寬,相當於將電子線路刻畫在一顆原子的大小,這無疑是一項巨大的創新發明!

目前台積電和三星半導體仍在爭奪3奈米晶片的製造,而3奈米是指它的DS通路,它們的線寬仍在40奈米左右,但本製程專利可以讓線寬縮減至幾奈米到0.1奈米之間。現今最厲害的極紫外光(EUV)微影技術,極紫外光的波長就在13.5奈米,故也無法直接製作出皮米級線路。

透過本專利技術,無需使用昂貴的光刻機及蝕刻機就能做到奈米/皮米線路等級的晶片,具有簡單且兼顧成本效益,有利於大量生產,更具有商業實施潛力,將為半導體產業開創新局。

本發明目前已布局多國專利申請,包括台灣、大陸、美國、日本、韓國與歐洲,其中韓國專利已率先核准,其他國家也將陸續核准中。

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